반도체공정 experiment(실험) - Photo Lithography
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작성일 23-02-19 20:27
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1) Cleaning 과정을 마친 시료( /Si(001))를 200℃에서 10여 분간 dehydration 시킨다.
5) 수 분간 시료를 대기 중에 놔둬 relaxation 시킨다.
2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간
3. 결과 및 고찰
PR coater, Hot plate, PR developer, Stripping chemical, FE-SEM, 광학현미경,
3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다.
시료를 25~125m 정도 공간을 둔 후 2초 간 노광한다.)
순서
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
반도체공정 실험,Photo Lithography
PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.
다.
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MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다.
(이때 감광제의 두께는 회전속도의 제곱근에 반비례한다. 실험 과정
6) 포토마스크(한쪽 면이 감광 유제나 금속막으로 패턴이 되어 있는 사각형의 유리판)와
설명
Si wafer 시료
4) 감광제의 용제를 제거하고 약 100℃의 핫플레이트에서 공기나 질소 가스 분위기에서 5~10분간 soft baking을 한다.
나. 실험 준비물
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 變化(변화)를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
※ 기본적인 포토리소그래피 공정과 달리 짧은 시간동안 세 가지 변수에 대한 실험을 모두 수행해야하는 우리 실험에서는 노출 후 굽기와 강하게 굽기 과정을 To be continued 하고 약하게 굽기 만 실시한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은 90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라 PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다. 이번 experiment(실험)에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
8) Photo lithography 공정이 끝난 시료는 광학현미경을 통하여 PR 두께 alteration(변화) 를
노출시킨다.
7) 노광이 끝난 후 시료를 TMAH 용액에 1분 30초 간 담가서 현상한다.
레포트 > 공학,기술계열
9) 노광시간을 5초, 10초로 하여 위의 실험을 반복한다.
측정(測定) 한다.
PR inspection을 측정한다.
반도체공정 experiment(실험) - Photo Lithography
다.
