접합 다이오드의 특성(特性)
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작성일 23-10-15 17:53
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?평형상태
n-QNR의 전자 중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자만 p+-QNR쪽으로 diffusion한다. 이것이 바로 다이오드의 주된 characteristic(특성)이 된다된다.
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접합 다이오드의 특성(特性)
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접합 다이오드의 characteristic(특성)
1. 實驗 목적
(1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 effect를 측정(measurement)한다.
(2) 접합 다이오드의 전압-전류 characteristic(특성)을 實驗적으로 결정하고 도시한다.(건전지의 “-” 단자는 다이오드의 n쪽에 접속
되어 전자들은 그만큼 에너지가 높아진다.)
n-QNR의 전자중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자(thermal equilibrium보다 많음) 만
p+-QNR쪽으로 …(투비컨티뉴드
)
(a) 기호 (b) 이상적인 다이오드의 전압-전류 characteristic(특성)
2)Si 다이오드의 여러 가지 온도에 따르는 전압-전류 characteristic(특성) 변화.
3) 반도체 다이오드한 표시 및 저항계를 이용한 측정(measurement)
다.
2. 實驗 theory(이론)
1) pn접합 다이오드
p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합된 것. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 된다된다.?순방향 바이어스(forward bias)(]0)
인가된 순방향전압에 의해 potential barrier는 낮아진다.
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift한다.
