트랜지스터
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작성일 23-01-06 03:39
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VCE < VCE,sat 인 영역을 포화 영역이라 하고 IB ≈ 0 이 되는 부분을 차단 영역이라 한다. 여러 가지 복잡한 요소를 제외하고 간단히 特性 곡선을 그려 보면 그림 27-4와 같이 나타낼 수 있따 여기서 라면 β는 에미터 접지 시 전류 증폭률을 의미한다. 이렇게 소멸되는 정공 수를 줄이기 위해 베이스의 폭은 될 수 있는 대로 작게 하는 것이 좋다.
설명
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다. 여기서 로 定義(정이) 한다면 α는 베이스 접지시의 전류 증폭률을 의미할 것이다.
다음 에미터 접지 증폭기의 IC-VCE 特性 곡선을 구해 보자. transistor가 증폭기로서 동작하려면 바이어스는 EB간이 순방향 바이어스, CB간이 역방향 바이어스가 되어야 한다. 일반적인 pn다이오드를 pn-pn로 구성하여 transistor로 사용할 수 없는 이유는 베이스의 폭이 매우 길어져서 베이스 내로 주입된 정공이 베이스를 통과하기 전에 거의 다 재결합에 의해 소멸되기 때문에 transistor 작용을 할 수 없게 되기 때문일것이다 에미터, 베이스 및 콜렉터의 직류 전류를 IE, IE`, 및 I 라 하면그림 27-2에서 다음 식과 같이 된다
(27-1)
2) transistor의 特性
베이스 접지 증폭기를 구성할 때 IC-VCB 特性 곡선은 그림 27-3의 (a)를 이용하면 간단히 구할 수 있따 CB간이 역 바이어스 되어 있어 ICN ≃0 이기 때문일것이다
물론 IB 작기 때문에 IC ≃ IE 가 성립한다. 베이스로 넘어간 정공은 베이스를 지나 BC 접합 부근에 도달하면 BC간의 강한 전계에 끌려서 콜렉터로 넘어갈 것이다. 이 때 베이스를 통과하는 정공들은 베이스 내의 전자들과 재결합 하여 소멸되는 경우도 존재한다. 디지…(투비컨티뉴드 )
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그림 27-2의 바이어스는 EB간이 순ㅂ장향 바이어스, CB간이 역방향 바이어스로 되어 있따 에미터의 정공은 EB간의 순방향 바이어스 때문에 베이스로 넘어간다.
