전기전자 응용 - 다이오드
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작성일 23-02-07 22:01
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하기 쉬워져 p형에서 n형 쪽으로 전류가 흐른다. 이들을 접합하여 만든 것을 다이오드라고 하며 pn junction 이라고도 한다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 +성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물질을 규소에 합성하여 -성분(electron:전자)이 많도록 만든 물질이다.
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[2] 최대 정격
- n형 반도체내의 전자는 전원의 -에 의해서 반발 당하고 전원의 +측에서는 끌어당기므로 전자는
이동이 없으므로 전류는 거의 흐르지 않는다. - 순방향에서도 어느 전압까지는 전류가 거의 흐르지 않는다. - 이와 같이, 역방향 전압에 의해 형성되어 있는 전기장을 더욱 강하게 함으로써 정공이나 전자의
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n형에서 p형 쪽으로 이동.
다이오드 : +의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 -의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 特性(특성)을 가지고 있따 p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 +성분(成分)(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물질을 규소에 합성하여 -성분(成分)(electron:전자)이 많도록 만든 물질이다.
[3] 전기적 特性
- 이와 같이, 순방향 전압에 의해 내부에 형성된 전기장을 약하게 함으로써 정공이나 전자는 이동
[4] 이상적인 다이오드의 特性
③ 역방향 전압을 가했을 때 (n형에 +, p형에 - 전압을 가했을 때)
(나) 브리지 정류 회로 vab>0 → D1, D3 : 순전압 → iR=vab/R D2, D4 : 역전압 → iR=0 vab<0 → D2, D4 : 순전압 → iR=vab/R D1, D3 : 역전압 → iR=0
- 정공은 (+) 성질을 띄고 있으므로 전원의 -측에 끌려가고 전자는 (-)성질을 띄고 있으므로 전원
의 +측에 끌려간다. ④ 정류 작용 : 한방으로만 전류를 흐르게 함.
- p형 반도체내의 정공은 전원의 +에 의해서 반발 당하고 전원의 -측에서는 끌어당기므로 정공은
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다.
: 다이오드에 가할 수 있는 최대의 전압과 흘릴 수 있는 최대의 전류
- 순방향의 저항값 : 0 - 역방향의 저항값 : ∞
: 전기적 特性의 수 값에 의해 다이오드의 전기적 사용 범위를 정할 수 있다.
설명
(가) 반파 정류 회로 vab>0(순전압) → D=0(short) → iR=vab/R vab<0(역전압) → D=∞(open) → iR=0
p형에서 n형 쪽으로 이동
순서
다이오드 : +의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 -의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다.레포트 > 자연과학계열
- 전압, 전류의 관계가 곡선이다. 이들을 접합하여 만든 것을 다이오드라고 하며 pn junction 이라고도 한다.


